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MOSFET Nexperia, canale N, 1,8 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-7982924
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     PSMN1R8-30PL,127
EAN/GTIN:
     5059043686806
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET a canale N, fino a 30 V.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
100 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
TO-220AB
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
1,8 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.15V
Tensione di soglia gate minima:
1.3V
Dissipazione di potenza massima:
270 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
10.3mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Altri termini di ricerca: 7982924, Semiconduttori, Discreti, Nexperia, PSMN1R830PL,127
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