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MOSFET Nexperia, canale N, 2,4 mΩ, 100 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
Product Image
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N. Articolo:
     3369E-7982912
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     PSMN1R7-30YL,115
EAN/GTIN:
     5059043067032
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET a canale N, fino a 30 V.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
100 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
LFPAK, SOT-669
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
4
Resistenza massima drain source:
2,4 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.15V
Tensione di soglia gate minima:
1.3V
Dissipazione di potenza massima:
109 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
5mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Altri termini di ricerca: 7982912, Semiconduttori, Discreti, Nexperia, PSMN1R730YL,115
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