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MOSFET Toshiba, canale N, 1,3 Ω, 9 A, TO-3PN, Su foro


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-7965153
Produttore:
     Toshiba
N. Art. Produtt.:
     TK9J90E
EAN/GTIN:
     5059041655804
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET a canale N, serie TK8 e TK9, Toshiba
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
9 A
Tensione massima drain source:
900 V
Tipo di package:
TO-3PN
Serie:
TK
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
1,3 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Dissipazione di potenza massima:
250 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-30 V, +30 V
Lunghezza:
15.5mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: 7965153, Semiconduttori, Discreti, Toshiba, TK9J90E
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