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MOSFET onsemi, canale N, 110 mΩ, 3 A, SOT-223, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-7931055
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NTF3055-100T1G
EAN/GTIN:
     5059042193909
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET di potenza a canale N, 60V, ON Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
3 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
SOT-223
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
110 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Dissipazione di potenza massima:
2,1 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
6.7mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 7931055, Semiconduttori, Discreti, onsemi, NTF3055100T1G
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