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MOSFET onsemi, canale N, 115 mΩ, 2,8 A, SOT-23, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-7925675
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     MGSF2N02ELT1G
EAN/GTIN:
     5059042511161
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET di potenza a canale N, 20 V, ON Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
2,8 A
Tensione massima drain source:
20 V
Tipo di package:
SOT-23
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
115 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
1V
Dissipazione di potenza massima:
1,25 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-8 V, +8 V
Lunghezza:
3.04mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 7925675, Semiconduttori, Discreti, onsemi, MGSF2N02ELT1G
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