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MOSFET Nexperia, canale N, 6 Ω, 150 mA, SOT-23, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-7920885
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     BSS123
EAN/GTIN:
     5059043510941
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET a canale N, oltre 100 V, Nexperia
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
150 mA
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
SOT-23
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
6 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.8V
Tensione di soglia gate minima:
1V
Dissipazione di potenza massima:
250 mW
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
3mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: 7920885, Semiconduttori, Discreti, Nexperia, BSS123
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