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MOSFET onsemi, canale N, 250 mΩ, 2,5 A, WDFN, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-7905268
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NTLJD4116NT1G
EAN/GTIN:
     5059042491708
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET a canale doppio N, ON Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
2,5 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
WDFN
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
6
Resistenza massima drain source:
250 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
1V
Dissipazione di potenza massima:
2,3 W
Configurazione transistor:
Isolato
Tensione massima gate source:
-8 V, +8 V
Lunghezza:
2mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
2
Altri termini di ricerca: 7905268, Semiconduttori, Discreti, onsemi, NTLJD4116NT1G
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