MOSFET Vishay, canale N, 125 mΩ, 29 A, TO247AC, Su foro

MOSFET a canale N, serie E, bassa figura di merito, Vishay Semiconductor. I MOSFET di potenza serie E di Vishay sono transistori ad alta tensione con resistenza massima ultra-bassa, bassa figura di merito e commutazione rapida. Sono disponibili in un'ampia gamma di correnti nominali. Le applicazioni tipiche includono server e alimentatori di telecomunicazione, illuminazione a LED, convertitori flyback, correzione del fattore di potenza (PFC) e alimentatori switching (SMPS). Caratteristiche. Bassa figura di merito (FOM) RDS(on) x Qg Bassa capacità di ingresso (Ciss) Bassa resistenza (RDS(on)) Carica del gate ultrabassa (Qg) Commutazione rapida Perdite di conduzione e commutazione ridotte