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MOSFET onsemi, canale P, 160 mΩ, 1,37 A, SOT-323, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-7804767
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NTS4101PT1G
EAN/GTIN:
     5059042486216
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET di potenza a canale P, 20 V, ON Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
1,37 A
Tensione massima drain source:
20 V
Tipo di package:
SOT-323
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
160 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
1.5V
Dissipazione di potenza massima:
329 mW
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-8 V, +8 V
Lunghezza:
2.2mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, 7804767, Semiconduttori, Discreti, onsemi, NTS4101PT1G
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