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MOSFET Infineon, canale N, 22,5 mΩ, 60 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale


Quantità:  pacchetto  
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-7604359
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     AUIRLR2905Z
EAN/GTIN:
     5059043982205
Termini di ricerca:
MOSFET di potenza
Transistor di potenza
MOSFET
mosfet di potenza
MOSFET di potenza a canale N per uso automobilistico, Infineon. La gamma completa di dispositivi a canale N a stampo singolo qualificati AECQ-101 per uso automobilistico di Infineon soddisfa un'ampia varietà di requisiti di alimentazione in svariate applicazioni. Questa gamma di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
60 A
Tensione massima drain source:
55 V
Tipo di package:
DPAK (TO-252)
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
22,5 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2V
Tensione di soglia gate minima:
1V
Dissipazione di potenza massima:
110 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-16 V, +16 V
Lunghezza:
6.73mm
Altri termini di ricerca: 7604359, Semiconduttori, Discreti, Infineon, AUIRLR2905Z
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