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MOSFET Infineon, canale N, 7,7 mΩ, 100 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-7528340
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPB072N15N3GATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™3, 100 V e superiori
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
100 A
Tensione massima drain source:
150 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Serie:
OptiMOS™ 3
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
7,7 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
300 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
10.31mm
Altri termini di ricerca: 7528340, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IPB072N15N3GATMA1
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Fischer Elektronik
FK 244 13 D2 PAK
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