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MOSFET Taiwan Semiconductor, canale P, 140 mΩ, 3 A, SOT-23, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-7436030
Produttore:
     Taiwan Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     TSM2307CX RFG
EAN/GTIN:
     5059041778282
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET di potenza canale P, Taiwan Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
3 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
SOT-23
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
140 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
3V
Dissipazione di potenza massima:
1,25 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
3.1mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: 7436030, Semiconduttori, Discreti, Taiwan Semiconductor, TSM2307CXRFG
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