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MOSFET Semelab, canale N, 5 A, SOIC, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-7387660
Produttore:
     Semelab
N. Art. Produtt.:
     D1011UK
EAN/GTIN:
     5059045229780
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
Transistor MOSFET RF, Semelab
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
5 A
Tensione massima drain source:
70 V
Tipo di package:
SOIC
Serie:
TetraFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
7V
Dissipazione di potenza massima:
30 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
4.06mm
Massima temperatura operativa:
+200 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: 7387660, Semiconduttori, Discreti, Semelab, D1011UK
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