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MOSFET Nexperia, canale P, 2,5 Ω, 300 mA, SOT-23, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-7258348
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     BSH201,215
EAN/GTIN:
     5059043873626
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET a canale P, Nexperia
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
300 mA
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
SOT-23
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
2,5 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
1.9V
Tensione di soglia gate minima:
1V
Dissipazione di potenza massima:
417 mW
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
3mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: 7258348, Semiconduttori, Discreti, Nexperia, BSH201,215
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