Diodo Vishay, Montaggio superficiale, 8A, 100V, TO-277A, Raddrizzatore Schottky

TMBS - Raddrizzatori Trench MOS Barrier Schottky, fino a 20 A, Vishay Semiconductor. La serie di raddrizzatori Trench MOS Barrier Schottky (TMBS) di Vishay contiene una struttura trench brevettata. I raddrizzatori TMBS offrono numerosi vantaggi rispetto ai raddrizzatori planari Schottky. A tensioni d'esercizio pari a 45 V e superiori, i raddrizzatori planari Schottky tendono a perdere i vantaggi rappresentati dall'alta velocità di commutazione e dalla bassa caduta di tensione diretta a un grado significativo. La struttura brevettata TMBS risolve questo problema diminuendo l'iniezione di portatori di carica minoritari nella regione di deriva e di conseguenza riducendo al minimo i portatori di carica accumulati e migliorando la velocità di commutazione. Caratteristiche. Struttura trench brevettata Efficienza ottimizzata in alimentatori in modalità switching c.a./c.c. e convertitori c.c./c.c. Elevata densità di potenza e bassa tensione diretta