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Transistor di potenza
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Articolo
MOSFET Vishay, canale P, 58 mΩ, 4 A, SOIC, Montaggio superficiale
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
3369E-7103395
Produttore:
Vishay
N. Art. Produtt.:
SI9933CDY-T1-GE3
EAN/GTIN:
5059040865921
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET doppio a canale P, Vishay Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
4 A
Tensione massima drain source:
20 V
Tipo di package:
SOIC
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
58 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
0.6V
Dissipazione di potenza massima:
2000 mW
Configurazione transistor:
Isolato
Tensione massima gate source:
-12 V, +12 V
Lunghezza:
5mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
2
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
SMD transistor
,
Transistor SMD
,
Transistori
,
Transistore
,
smd transistor
,
7103395
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Vishay
,
SI9933CDYT1GE3
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