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MOSFET Vishay, canale N, 8 mΩ, 13,6 A, SOIC, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-7103323
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI4162DY-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040974869
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
13,6 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
SOIC
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
8 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
1V
Dissipazione di potenza massima:
2,5 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
5mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 7103323, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SI4162DYT1GE3
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B82801B0205A100
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