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MOSFET Infineon, canale N, 73 mΩ, 25 A, TO-220AB, Su foro


Quantità:  pacchetto  
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-6886973
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRFB5620PBF
EAN/GTIN:
     5059045592860
Termini di ricerca:
MOSFET di potenza
Transistor di potenza
MOSFET
mosfet di potenza
MOSFET audio digitale, Infineon. Gli amplificatori di classe D stanno diventando velocemente la soluzione preferita per sistemi audio e video professionali e domestici. Infineon offre una gamma completa che semplifica il design degli amplificatori di classe D ad alta efficienza.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
25 A
Tensione massima drain source:
200 V
Tipo di package:
TO-220AB
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
73 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
5V
Tensione di soglia gate minima:
3V
Dissipazione di potenza massima:
14 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
10.67mm
Altri termini di ricerca: 6886973, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IRFB5620PBF
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