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MOSFET Infineon, canale N, 2 mΩ, 353 A, TO-220AB, Su foro


Quantità:  pacchetto  
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-6886807
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRF1324PBF
EAN/GTIN:
     5059045590583
Termini di ricerca:
MOSFET di potenza
Transistor di potenza
MOSFET
mosfet di potenza
MOSFET di potenza a canale N, da 12 V a 25 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
353 A
Tensione massima drain source:
24 V
Tipo di package:
TO-220AB
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
2 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
300 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
10.67mm
Altri termini di ricerca: 6886807, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IRF1324PBF
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