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Modulo IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 314 A, canale N, SEMITRANS3


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N. Articolo:
     3369E-6874973
Produttore:
     Semikron
N. Art. Produtt.:
     SKM200GB12E4
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
Transistor di potenza
transistor di potenza
Moduli IGBT doppi. Una gamma di moduli IGBT SEMITOP® realizzati da Semikron e costituiti da due dispositivi IGBT (half-bridge) collegati in serie. I moduli sono disponibili in un'ampia gamma di tensione e corrente nominali e sono adatti per una varietà di applicazioni di commutazione di potenza come inverter c.a., azionamenti per motori e alimentatori continui. Contenitore compatto SEMITOP® Idoneità per frequenze di commutazione fino a 12 kHz Piastra di base in rame isolato che utilizza la tecnologia Direct bonded copper
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
314 A
Tensione massima collettore emitter:
1200 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Configurazione:
Dual Half Bridge (DHB)
Tipo di package:
SEMITRANS3
Tipo di montaggio:
Montaggio a pannello
Tipo di canale:
N
Numero pin:
7
Configurazione transistor:
Serie
Dimensioni:
106.4 x 61.4 x 30mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Minima temperatura operativa:
-40 °C
Larghezza:
61.4mm
Altri termini di ricerca: 6874973, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Semikron, SKM200GB12E4
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