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MOSFET onsemi, canale N, 29 mΩ, 6 A, SOIC, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-6710747
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDS8949
EAN/GTIN:
     5059042843415
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET doppio a canale N per uso automobilistico, Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor offre soluzioni in grado di risolvere le complesse sfide del mercato automobilistico grazie a una perfetta conoscenza degli standard di qualità, sicurezza e affidabilità.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
6 A
Tensione massima drain source:
40 V
Tipo di package:
SOIC
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
29 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
1V
Dissipazione di potenza massima:
2 W
Configurazione transistor:
Isolato
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
5mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
2
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 6710747, Semiconduttori, Discreti, onsemi, FDS8949
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