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MOSFET Infineon, canale N, 150 mΩ, 18 A, TO-220AB, Su foro


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N. Articolo:
     3369E-5410014
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRF640NPBF
EAN/GTIN:
     5059043899558
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET di potenza a canale N, da 150 V a 600 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
18 A
Tensione massima drain source:
200 V
Tipo di package:
TO-220AB
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
150 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
150 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 5410014, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IRF640NPBF
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Accessori
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Dissipatore Fischer Elektronik 37.5 x 52.3 x 28mm, 5K/W
Fischer Elektronik
SK 487/37,5 SA
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Accessori
Pad interfaccia termica Bergquist in Poliimmide a pellicola sottile, 19.05 x 12.7mm, spessore 0.152mm, 1.1W/m·K
Bergquist
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Accessori
Saldatore RS PRO mod. KD-40, a , 40W, 230V
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