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MOSFET Vishay, canale N, 100 A, 8 x 8L, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2800022
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SQJQ936EL-T1_GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 100 A
Tensione massima drain source = 40 V
Tipo di package = 8 x 8L
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 4
Modalità del canale = Enhancement
Materiale del transistor = Silicone
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
100 A
Tensione massima drain source:
40 V
Tipo di package:
8 x 8L
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
4
Modalità del canale:
Enhancement
Numero di elementi per chip:
2
Materiale del transistor:
Silicone
Altri termini di ricerca: 2800022, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SQJQ936ELT1_GE3
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