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MOSFET Vishay, canale N, 40,7 A, 1212-8S, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2799996
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SISS5112DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
2799996
Semiconduttori
Discreti
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 40,7 A
Tensione massima drain source = 100 V
Tipo di package = 1212-8S
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 8
Modalità del canale = Enhancement
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
40,7 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
1212-8S
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Modalità del canale:
Enhancement
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Silicone
Altri termini di ricerca: Vishay, SISS5112DNT1GE3
Riepilogo condizioni1
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