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MOSFET Vishay, canale N, 13 A, PowerPAK 8 x 8, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2688303
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIHH250N60EF-T1GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
2688303
Semiconduttori
Discreti
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 13 A
Tensione massima drain source = 650 V
Tipo di package = PowerPAK 8 x 8
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 4
Modalità del canale = Enhancement
Numero di elementi per chip = 2
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
13 A
Tensione massima drain source:
650 V
Tipo di package:
PowerPAK 8 x 8
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
4
Modalità del canale:
Enhancement
Numero di elementi per chip:
2
Materiale del transistor:
Silicone
Altri termini di ricerca: Vishay, SIHH250N60EFT1GE3
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