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MOSFET Infineon, canale N, 201 A, PG-TO263-3, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2625842
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPB011N04NF2SATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 201 A
Tensione massima drain source = 40 V
Tipo di package = PG-TO263-3
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Modalità del canale = Enhancement
Materiale del transistor = SiC
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
201 A
Tensione massima drain source:
40 V
Tipo di package:
PG-TO263-3
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Modalità del canale:
Enhancement
Numero di elementi per chip:
2
Materiale del transistor:
SiC
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, 2625842, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IPB011N04NF2SATMA1
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