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IGBT Infineon, VCE 1200 V, AG-ECONO2C-311


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N. Articolo:
     3369E-2580860
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     FP25R12KT3BPSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
Modulo IGBT
Moduli IGBT
Transistor di potenza
Tensione massima collettore emitter = 1200 V
Tensione massima gate emitter = ±20V
Dissipazione di potenza massima = 155 W
Tipo di package = AG-ECONO2C-311
Altre informazioni:
Tensione massima collettore emitter:
1200 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
155 W
Tipo di package:
AG-ECONO2C-311
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt, 2580860, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, FP25R12KT3BPSA1
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