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IGBT Bourns, VCE 650 V, IC 50 A, TO-247


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2533509
Produttore:
     Bourns
N. Art. Produtt.:
     BIDW50N65T
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
transistor di potenza
Corrente massima continuativa collettore = 50 A
Tensione massima collettore emitter = 650 V
Tensione massima gate emitter = ±20V
Dissipazione di potenza massima = 416 W
Tipo di package = TO-247
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
50 A
Tensione massima collettore emitter:
650 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
416 W
Numero di transistor:
1
Configurazione:
Diodo singolo
Tipo di package:
TO-247
Altri termini di ricerca: 2533509, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Bourns, BIDW50N65T
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