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MOSFET Vishay, canale N, 19 A, PowerPAK 10 x 12, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2520268
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIHK185N60E-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
2520268
Semiconduttori
Discreti
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 19 A
Tensione massima drain source = 600 V
Tipo di package = PowerPAK 10 x 12
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 8
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
19 A
Tensione massima drain source:
600 V
Tipo di package:
PowerPAK 10 x 12
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: Vishay, SIHK185N60ET1GE3
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