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MOSFET, canale N, 6 A, TO-263-7, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2489329
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IMBG65R260M1HXTMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 6 A
Tensione massima drain source = 650 V
Tipo di package = TO-263-7
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 7
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
6 A
Tensione massima drain source:
650 V
Tipo di package:
TO-263-7
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
7
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, 2489329, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IMBG65R260M1HXTMA1
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Accessori
Modulo Driver gate 1ED3125MU12FXUMA1, CMOS, 10 A, 35V, PG-DSO-8, 8-Pin
Infineon
1ED3125MU12FXUMA1
a partire da € 0,905*
Accessori
Modulo Driver gate 1ED3890MC12MXUMA1, 9 A, 6.5V, PG-DSO-16, 16-Pin
Infineon
1ED3890MC12MXUMA1
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