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Modulo IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 85 A


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2481202
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     F3L150R07W2H3B11BPSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
Transistor di potenza
transistor di potenza
Corrente massima continuativa collettore = 85 A
Tensione massima collettore emitter = 650 V
Tensione massima gate emitter = ±20V
Dissipazione di potenza massima = 20 mW
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
85 A
Tensione massima collettore emitter:
650 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
20 mW
Numero di transistor:
4
Altri termini di ricerca: 2481202, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, F3L150R07W2H3B11BPSA1
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