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Modulo IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 40 A, 70 A


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N. Articolo:
     3369E-2481195
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     DF200R07W2H3B77BPSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Corrente massima continuativa collettore = 40 A, 70 A
Tensione massima collettore emitter = 650 V
Tensione massima gate emitter = ±20V
Dissipazione di potenza massima = 20 mW
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
40 A, 70 A
Tensione massima collettore emitter:
650 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
20 mW
Numero di transistor:
4
Altri termini di ricerca: Transistore, transistor di potenza, 2481195, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, DF200R07W2H3B77BPSA1
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