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MOSFET Infineon, canale N, 26 A, TO-247, Su foro


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2442922
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IMW120R090M1HXKSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 26 A
Tensione massima drain source = 1200 V
Tipo di package = TO-247
Tipo di montaggio = Su foro
Numero pin = 3
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
26 A
Tensione massima drain source:
1200 V
Tipo di package:
TO-247
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, 2442922, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IMW120R090M1HXKSA1
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Accessori
Nel nostro assortimento sono presenti i seguenti accessori:
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Accessori
Driver gate MOSFET 1ED3241MC12HXUMA1, CMOS, 18 A, 5V, PG-DSO-8-66, 8-Pin
Infineon
1ED3241MC12HXUMA1
a partire da € 1,596*
Accessori
Modulo Driver gate 1ED3125MU12FXUMA1, CMOS, 10 A, 35V, PG-DSO-8, 8-Pin
Infineon
1ED3125MU12FXUMA1
a partire da € 0,905*
Accessori
Modulo Driver gate 1ED3491MC12MXUMA1, 9 A, 6.5V, PG-DSO-16, 16-Pin
Infineon
1ED3491MC12MXUMA1
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