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MOSFET Infineon, canale N, 298 A, PQFN 3 x 3, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2420307
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IQE006NE2LM5CGATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
2420307
Semiconduttori
Discreti
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 298 A
Tensione massima drain source = 25 V
Tipo di package = PQFN 3 x 3
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 8
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
298 A
Tensione massima drain source:
25 V
Tipo di package:
PQFN 3 x 3
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: Infineon, IQE006NE2LM5CGATMA1
Riepilogo condizioni1
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