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MOSFET Toshiba, canale N, 4,3e+007 Ω, 6 A, SOT-23, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2363580
Produttore:
     Toshiba
N. Art. Produtt.:
     SSM3K341R,LF(T
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
2363580
Semiconduttori
Discreti
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 6 A
Tensione massima drain source = 60 V
Tipo di package = SOT-23
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 4,3e+007 Ω
Tensione di soglia gate massima = 2.5V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
6 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
SOT-23
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
4,3e+007 Ω
Tensione di soglia gate massima:
2.5V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Silicone
Altri termini di ricerca: Toshiba, SSM3K341R,LF(T
Riepilogo condizioni1
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