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MOSFET Toshiba, canale P, 1,29e+008 Ω, 3,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2363571
Produttore:
     Toshiba
N. Art. Produtt.:
     SSM3J351R,LF(T
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = P
Corrente massima continuativa di drain = 3,5 A
Tensione massima drain source = 60 V
Tipo di package = SOT-23
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 1,29e+008 Ω
Tensione di soglia gate massima = 2V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
3,5 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
SOT-23
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
1,29e+008 Ω
Tensione di soglia gate massima:
2V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Silicone
Altri termini di ricerca: 2363571, Semiconduttori, Discreti, Toshiba, SSM3J351R,LF(T
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