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MOSFET ROHM, canale N, 0,585 Ω, 9 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2352692
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     R6509KND3TL1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
2352692
Semiconduttori
Discreti
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 9 A
Tensione massima drain source = 650 V
Tipo di package = DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 0,585 Ω
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 5V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
9 A
Tensione massima drain source:
650 V
Tipo di package:
DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
0,585 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
5V
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: ROHM, R6509KND3TL1
Riepilogo condizioni1
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