Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
3369E-2352681 N. Art. Produtt.:
R6504END3TL1 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 4 A
Tensione massima drain source = 650 V
Tipo di package = DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 1,05 Ω
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 4V
Numero di elementi per chip = 1 Altre informazioni: | | Tipo di canale: | N | Corrente massima continuativa di drain: | 4 A | Tensione massima drain source: | 650 V | Tipo di package: | DPAK (TO-252) | Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | Numero pin: | 3 | Resistenza massima drain source: | 1,05 Ω | Modalità del canale: | Enhancement | Tensione di soglia gate massima: | 4V | Numero di elementi per chip: | 1 |
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