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MOSFET ROHM, canale N, 1,2 Ω, 7 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2342942
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     R8007AND3FRATL
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
2342942
Semiconduttori
Discreti
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 7 A
Tensione massima drain source = 800 V
Tipo di package = DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 1,2 Ω
Tensione di soglia gate massima = 5V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
7 A
Tensione massima drain source:
800 V
Tipo di package:
DPAK (TO-252)
Serie:
R8007
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
1,2 Ω
Tensione di soglia gate massima:
5V
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: ROHM, R8007AND3FRATL
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