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MOSFET Infineon, canale N, 0,0109 O, 0,0149 O, 59 A, SuperSO8 5 x 6, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2326761
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     ISC0804NLSATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 59 A
Tensione massima drain source = 100 V
Tipo di package = SuperSO8 5 x 6
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 8
Resistenza massima drain source = 0,0109 O, 0,0149 O
Tensione di soglia gate massima = 2.3V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
59 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
SuperSO8 5 x 6
Serie:
OptiMOS™ 5
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
0,0109 O, 0,0149 O
Tensione di soglia gate massima:
2.3V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
Altri termini di ricerca: 2326761, Semiconduttori, Discreti, Infineon, ISC0804NLSATMA1
Riepilogo condizioni1
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