SDRAM AS4C32M16SB-7TIN, 512Mbit, 200MHz, 3 V → 3,6 V, TSOP 54 Pin DDR

La SDRAM 512MB Alliance Memory è una DRAM sincrona CMOS ad alta velocità contenente 512 Mbit. È configurato internamente come 4 banchi di 8M word x 16 DRAM con interfaccia sincrona (tutti i segnali sono registrati sul fronte positivo del segnale di clock, CLK). Gli accessi in lettura e scrittura alla SDRAM sono orientati al burst gli accessi partono da una posizione selezionata e continuano per un numero programmato di posizioni in una sequenza programmata. Gli accessi iniziano con la registrazione di un comando Bank Activate seguito da un comando Read o Write.Aggiornamento automatico e aggiornamento automatico 8192 cicli di aggiornamento/64ms Modalità di spegnimento CKE Alimentatore singolo da +3,3 V ±0,3 V.