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MOSFET Infineon, canale N, 0,0116 Ω, 20 A, SuperSO8 5 x 6 doppio, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2291845
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPG20N04S4L11AATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 20 A
Tensione massima drain source = 40 V
Serie = OptiMOS™ -T2
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 8
Resistenza massima drain source = 0,0116 Ω
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 2.2V
Numero di elementi per chip = 2
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
20 A
Tensione massima drain source:
40 V
Tipo di package:
SuperSO8 5 x 6 doppio
Serie:
OptiMOS™ -T2
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
0,0116 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.2V
Numero di elementi per chip:
2
Materiale del transistor:
Silicone
Altri termini di ricerca: 2291845, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IPG20N04S4L11AATMA1
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