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Modulo IGBT Infineon, VCE 750 V, IC 820 A, canale N, AG-HYBRIDD-1


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2291788
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     FS820R08A6P2LBBPSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
Transistor di potenza
transistor di potenza
Corrente massima continuativa collettore = 820 A
Tensione massima collettore emitter = 750 V
Tensione massima gate emitter = +/-20V
Dissipazione di potenza massima = 20 mW
Tipo di package = AG-HYBRIDD-1
Tipo di canale = N
Numero pin = 33
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
820 A
Tensione massima collettore emitter:
750 V
Tensione massima gate emitter:
+/-20V
Dissipazione di potenza massima:
20 mW
Numero di transistor:
6
Tipo di package:
AG-HYBRIDD-1
Tipo di canale:
N
Numero pin:
33
Altri termini di ricerca: 2291788, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, FS820R08A6P2LBBPSA1
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