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MOSFET Infineon, canale N, 0,0006 Ω, 545 A, DirectFET, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-2291738
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     AUIRF8739L2TR
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
Il MOSFET di potenza HEXFET a canale N singolo Infineon in contenitore DirectFET L8 consente leffetto valanga ripetitivo fino a Tjmax. È dotato di unelevata velocità di commutazione ed è senza piombo.È conforme alla direttiva RoHS e certificato AEC Ha una temperatura desercizio di 175 °C. È dotato di raffreddamento su due lati
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
545 A
Tensione massima drain source:
40 V
Tipo di package:
DirectFET
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
15
Resistenza massima drain source:
0,0006 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
3.9V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Silicone
Altri termini di ricerca: 2291738, Semiconduttori, Discreti, Infineon, AUIRF8739L2TR
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