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Transistor di potenza
>
Articolo
MOSFET Infineon, canale P, 0,29 Ω, 13 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
Quantità:
pezzi
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-2291734
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
AUIRF6215STRL
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET di potenza HEXFET a canale p singolo Infineon in contenitore D2-Pak. È dotato di commutazione rapida e con valore nominale a valanga completo. È senza piombo e ha una bassa resistenza in stato attivo.È conforme alla direttiva RoHS e certificato AEC Ha una temperatura desercizio di 175 °C.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
13 A
Tensione massima drain source:
150 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
0,29 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Silicone
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
2291734
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Infineon
,
AUIRF6215STRL
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