Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
3369E-2282916 N. Art. Produtt.:
SIRA20BDP-T1-GE3 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 335 A
Tensione massima drain source = 25 V
Serie = TrenchFET
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 8
Resistenza massima drain source = 0,00058 Ω
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 2.1V
Materiale del transistor = Si Altre informazioni: | | Tipo di canale: | N | Corrente massima continuativa di drain: | 335 A | Tensione massima drain source: | 25 V | Tipo di package: | PowerPak SO-8 | Serie: | TrenchFET | Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | Numero pin: | 8 | Resistenza massima drain source: | 0,00058 Ω | Modalità del canale: | Enhancement | Tensione di soglia gate massima: | 2.1V | Numero di elementi per chip: | 2 | Materiale del transistor: | Si |
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