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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 74 A, canale N, PG-TO220


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2266107
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IKP40N65F5XKSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
transistor di potenza
Infineon IKP40N65F5 è un IGBT ad alta velocità a commutazione elevata da 650 V che utilizza co-impaccato con tecnologia Rapid si-diode. Ha un design a maggiore densità di potenza e ha un basso COES/EOSS.Fattore 2,5 Qg inferiore Fattore 2 riduzione delle perdite di commutazione 200mV riduzione di VCEsat
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
74 A
Tensione massima collettore emitter:
650 V
Tensione massima gate emitter:
30V
Dissipazione di potenza massima:
255 W
Numero di transistor:
1
Configurazione:
Single
Tipo di package:
PG-TO220
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Configurazione transistor:
Singolo
Altri termini di ricerca: 2266107, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, IKP40N65F5XKSA1
Riepilogo condizioni1
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