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MOSFET Vishay, canale P, 0,0022 Ω, 280 A, PowerPak 8 x 8L, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2259959
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SQJQ131EL-T1_GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = P
Corrente massima continuativa di drain = 280 A
Tensione massima drain source = 30 V
Serie = P-Channel 30 V
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 4
Resistenza massima drain source = 0,0022 Ω
Tensione di soglia gate massima = 2.5V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
280 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
PowerPak 8 x 8L
Serie:
P-Channel 30 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
4
Resistenza massima drain source:
0,0022 Ω
Tensione di soglia gate massima:
2.5V
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: 2259959, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SQJQ131ELT1_GE3
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