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MOSFET Vishay, canale N, 2.1 Ω, 315 A, PowerPak 8 x 8L, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2259947
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SQJ138ELP-T1_GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Vishay Siliconix mantiene i dati di affidabilità per la tecnologia dei semiconduttori e laffidabilità del contenitore rappresentano un composito di tutte le posizioni qualificate.Qualifica AEC-Q101 Testato al 100% Rg e UIS Contenitore sottile da 1,6 mm Resistenza termica molto bassa
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
315 A
Tensione massima drain source:
40 V
Tipo di package:
PowerPak 8 x 8L
Serie:
N-Channel 40 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
4
Resistenza massima drain source:
2.1 Ω
Tensione di soglia gate massima:
2.2V
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: 2259947, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SQJ138ELPT1_GE3
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