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MOSFET Infineon, canale N, 0,01 Ω, 50 A, QDPAK, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2250580
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPDQ60R010S7XTMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 50 A
Tensione massima drain source = 600 V
Serie = IPDQ60R010S7
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 22
Resistenza massima drain source = 0,01 Ω
Tensione di soglia gate massima = 4.5V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
50 A
Tensione massima drain source:
600 V
Tipo di package:
QDPAK
Serie:
IPDQ60R010S7
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
22
Resistenza massima drain source:
0,01 Ω
Tensione di soglia gate massima:
4.5V
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: 2250580, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IPDQ60R010S7XTMA1
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